Capacitor structure and preparation method therefor, and semiconductor structure and preparation method therefor
WO2023213007
Art A1
9. November 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC., CHANGXIN JIDIAN (BEIJING) MEMORY TECHNOLOGIES CO. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023213007
- Aktenzeichen
- EP22940701
- Anmeldetag
- 12. Juli 2022
- Veröffentlichung
- 9. November 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/105
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
CHANGXIN JIDIAN (BEIJING) MEMORY TECHNOLOGIES CO. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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