Method for producing crystalline indium oxide semiconductor film, thin-film transistor and sputtering target

WO2023214513 Art A1 9. November 2023

Anmelder: IDEMITSU KOSAN CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023214513
Aktenzeichen: EP23799445
Anmeldetag: 21. April 2023
Veröffentlichung: 9. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/08C23C14/34H01L21/363H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Idemitsu Kosan

Japanisches Energie- und Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Aktiv in Mineralölverarbeitung, petrochemischen Produkten, Schmierstoffen sowie Materialien für organische Leuchtdioden (OLED).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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