Driving circuit and driving method therefor, and memory

WO2023216316 Art A1 16. November 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023216316
Aktenzeichen: EP22941264
Anmeldetag: 23. Mai 2022
Veröffentlichung: 16. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C8/08G11C11/408H03K19/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von

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