Light intensity distribution simulation method for thick photoresist lithography process

WO2023216336 Art A1 16. November 2023

Anmelder: Southeast University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023216336
Aktenzeichen: EP22941284
Anmeldetag: 27. Mai 2022
Veröffentlichung: 16. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/20G06F30/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Southeast University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

748 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Optik & Fototechnik Software & Datenverarbeitung

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen