Gallium nitride single crystal substrate and method for producing same

WO2023218558 Art A1 16. November 2023

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2023218558
Aktenzeichen
EP22941638
Anmeldetag
11. Mai 2022
Veröffentlichung
16. November 2023
Rechtsraum
WO
IPC
C30B29/38C23C16/34C30B25/02
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen