Silicon carbide substrate, silicon-carbide epitaxial substrate, method for producing silicon carbide substrate, and method for producing silicon-carbide semiconductor device

WO2023218809 Art A1 16. November 2023

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023218809
Aktenzeichen: EP23803292
Anmeldetag: 5. April 2023
Veröffentlichung: 16. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36B24B37/00B24B37/08H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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