Transistor and method of forming the same

WO2023219570 Art A1 16. November 2023

Anmelder: Nanyang Technological University 🇸🇬

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023219570
Aktenzeichen: EP23803944
Anmeldetag: 12. Mai 2023
Veröffentlichung: 16. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/423H01L29/12H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Nanyang Technological University
Land: 🇸🇬 Singapur

🇸🇬 Nanyang Technological University

Die Nanyang Technological University ist eine staatliche Forschungsuniversität in Singapur, die in den Bereichen Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologie international hoch angesehen ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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