Selective and isotropic etch of silicon over silicon-germanium alloys and dielectrics; via new chemistry and surface modification

WO2023219716 Art A1 16. November 2023

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023219716
Aktenzeichen: EP23803973
Anmeldetag: 27. März 2023
Veröffentlichung: 16. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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