Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device
WO2023221467
Art A1
23. November 2023
Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023221467
- Aktenzeichen
- EP22942487
- Anmeldetag
- 8. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 23. November 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/00H01L27/10H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Beijing Superstring Academy of Memory Technology
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.
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