Schottky transistor, diode, and cold source semiconductor structure and preparation method therefor

WO2023221552 Art A1 23. November 2023

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023221552
Aktenzeichen: EP23806514
Anmeldetag: 31. Januar 2023
Veröffentlichung: 23. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872H01L29/78H01L21/336H01L21/329

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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