Bonding method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

WO2023223868 Art A1 23. November 2023

Anmelder: HAMAMATSU PHOTONICS K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023223868
Aktenzeichen: EP23807472
Anmeldetag: 8. Mai 2023
Veröffentlichung: 23. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/40H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hamamatsu Photonics

Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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