Tunneling field-effect transistor having fin-shaped semiconductor pattern and drain region having concave central portion

WO2023224332 Art A1 23. November 2023

Anmelder: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023224332
Aktenzeichen: EP23807851
Anmeldetag: 15. Mai 2023
Veröffentlichung: 23. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IUCF-HYU (INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATI
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Iucf-hyu (Industry-University Cooperation Foundation)

Die IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation) ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Portfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, mit weiteren Schwerpunkten in Medizintechnik und Akustik. Anmeldungen laufen seit 2018, unter anderem zu drahtloser Kommunikation und künstlicher Intelligenz.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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