Self-aligned vertical bitline for three-dimensional (3d) dynamic random-access memory (dram) devices

WO2023224794 Art A1 23. November 2023

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023224794
Aktenzeichen: EP23808070
Anmeldetag: 1. Mai 2023
Veröffentlichung: 23. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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