High Modulus Carbon Doped Silicon Oxide Film For Mold Stack Scaling Solutions in Advanced Memory Applications

WO2023225132 Art A1 23. November 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023225132
Aktenzeichen: EP23808272
Anmeldetag: 17. Mai 2023
Veröffentlichung: 23. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/40C23C16/448C23C16/50H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von