Refresh control circuit, memory and refresh control method

WO2023226112 Art A1 30. November 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023226112
Aktenzeichen: EP22943306
Anmeldetag: 16. Juni 2022
Veröffentlichung: 30. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/406G11C5/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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