Transistor and preparation method therefor, and memory

WO2023226179 Art A1 30. November 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023226179
Aktenzeichen: EP22943370
Anmeldetag: 19. Juli 2022
Veröffentlichung: 30. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/24H01L29/78H01L21/34H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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