Method for producing ground wafer and method for producing wafer

WO2023228787 Art A1 30. November 2023

Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023228787
Aktenzeichen: EP23811661
Anmeldetag: 12. Mai 2023
Veröffentlichung: 30. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: B24B41/06B24B7/22H01L21/304

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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