Highly Conformal Metal Etch in High Aspect Ratio Semiconductor Features
WO2023229628
Art A1
30. November 2023
Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023229628
- Aktenzeichen
- EP22944010
- Anmeldetag
- 6. Oktober 2022
- Veröffentlichung
- 30. November 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3213H10B43/27H10B43/35
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- APPLIED MATERIALS, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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