Three-dimensional memory device containing dual-depth drain-select-level isolation structures and methods for forming the same

WO2023229801 Art A1 30. November 2023

Anmelder: SanDisk Technologies LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023229801
Aktenzeichen: EP23812311
Anmeldetag: 1. Mai 2023
Veröffentlichung: 30. November 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H10B43/27H10B41/27H10B43/35H10B41/35H10B43/50H10B41/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von