Fuse circuit and fuse array signal transmission method

WO2023231166 Art A1 7. Dezember 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023231166
Aktenzeichen: EP22944479
Anmeldetag: 27. Juli 2022
Veröffentlichung: 7. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C17/16G11C29/18H10B20/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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