Field-effect transistor, storage unit, and storage unit manufacturing method

WO2023231306 Art A1 7. Dezember 2023

Anmelder: Beijing Superstring Academy of Memory Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023231306
Aktenzeichen: EP22944608
Anmeldetag: 11. November 2022
Veröffentlichung: 7. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/06H01L21/82

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Beijing Superstring Academy of Memory Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Beijing Superstring Academy of Memory Technology

Die Beijing Superstring Academy of Memory Technology ist eine 2020 gegründete chinesische Forschungseinrichtung mit Sitz in Peking, die neue Speicherzellarchitekturen für zukünftige DRAM-Technologien entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich nahezu vollständig auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik. Die noch junge Patenttätigkeit stammt aus den Jahren 2021 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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