Fixed charge generating method, method for manufacturing thin film transistor, and thin film transistor

WO2023233757 Art A1 7. Dezember 2023

Anmelder: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY O, NISSIN ELECTRIC CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023233757
Aktenzeichen: EP23815519
Anmeldetag: 16. März 2023
Veröffentlichung: 7. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/265H01L21/336H01L21/425

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKYO UNIVERSITY O
NISSIN ELECTRIC CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Nissin Electric

Nissin Electric ist ein japanischer Hersteller elektrischer Anlagen und Halbleiterfertigungsausrüstung mit Sitz in Kyoto. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleitertechnik und Metallurgie, ergänzt durch Schaltungs- und Energietechnik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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