Silicon carbide substrate, silicon carbide epitaxial substrate and method for producing silicon carbide semiconductor device

WO2023233887 Art A1 7. Dezember 2023

Anmelder: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023233887
Aktenzeichen: EP23815648
Anmeldetag: 27. April 2023
Veröffentlichung: 7. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/205H01L29/78H01L29/12H01L29/739H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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