Semiconductor device, use thereof, and manufacturing method thereof

WO2023233910 Art A1 7. Dezember 2023

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023233910
Aktenzeichen: EP23815671
Anmeldetag: 1. Mai 2023
Veröffentlichung: 7. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/872C23C16/04C23C16/40C30B25/04C30B25/20C30B29/16H01L21/329H01L21/336H01L21/36H01L21/365H01L29/06H01L29/12H01L29/24H01L29/47H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute for Materials Science

Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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