Method for dry etching single crystal silicon wafer, method for producing single crystal silicon wafer, and single crystal silicon wafer
WO2023234005
Art A1
7. Dezember 2023
Anmelder: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023234005
- Aktenzeichen
- EP23815765
- Anmeldetag
- 16. Mai 2023
- Veröffentlichung
- 7. Dezember 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/304H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
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