Etching method and plasma processing device

WO2023234214 Art A1 7. Dezember 2023

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023234214
Aktenzeichen: EP23815971
Anmeldetag: 26. Mai 2023
Veröffentlichung: 7. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065H01L21/3213H01L21/768H01L21/3205H01L23/532

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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