Reduced temperature etching of doped silicon oxide

WO2023235188 Art A1 7. Dezember 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023235188
Aktenzeichen: EP23816572
Anmeldetag: 23. Mai 2023
Veröffentlichung: 7. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/311H01L21/02H10B41/27H10B43/27

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von