Photomask pattern correction method, system, photomask and preparation method therefor

WO2023236254 Art A1 14. Dezember 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023236254
Aktenzeichen: EP22945393
Anmeldetag: 23. Juni 2022
Veröffentlichung: 14. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F1/36G03F7/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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