Anti-fuse array structure and operation method therefor, and memory
WO2023236262
Art A1
14. Dezember 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023236262
- Aktenzeichen
- EP22945401
- Anmeldetag
- 24. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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