Enhanced integrated structure of n-channel and p-channel gan devices

WO2023236523 Art A1 14. Dezember 2023

Anmelder: Southeast University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023236523
Aktenzeichen: EP22945651
Anmeldetag: 29. Dezember 2022
Veröffentlichung: 14. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/085H01L27/092H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Southeast University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Southeast University

Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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