Gallium nitride power semiconductor device integrated with self-feedback gate control structure
WO2023236525
Art A1
14. Dezember 2023
Anmelder: Southeast University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023236525
- Aktenzeichen
- EP22945653
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2022
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/778H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Southeast University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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