Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

WO2023238282 Art A1 14. Dezember 2023

Anmelder: RESONAC CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023238282
Aktenzeichen: EP22945786
Anmeldetag: 8. Juni 2022
Veröffentlichung: 14. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: RESONAC CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Resonac

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, hervorgegangen aus Showa Denko. Das Unternehmen stellt unter anderem Halbleitermaterialien, Elektronikchemikalien und funktionale Chemieprodukte her.

2.042 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von