Nitride semiconductor photoelectrode and production method therefor
WO2023238387
Art A1
14. Dezember 2023
Anmelder: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023238387
- Aktenzeichen
- EP22945886
- Anmeldetag
- 10. Juni 2022
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C25B11/087C25B11/052
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NTT (Nippon Telegraph and Telephone)
Japanischer Telekommunikationskonzern mit Sitz in Tokio. NTT ist im Festnetz-, Mobilfunk- und Datennetzgeschäft aktiv und entwickelt Technologien für Netzwerkinfrastruktur, Glasfaser, Cloud-Dienste und Informations- und Kommunikationssysteme.
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