Etching method and plasma treatment device
WO2023238903
Art A1
14. Dezember 2023
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023238903
- Aktenzeichen
- EP23819883
- Anmeldetag
- 8. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- TOKYO ELECTRON LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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