In Situ Declogging in Plasma Etching

WO2023239617 Art A1 14. Dezember 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2023239617
Aktenzeichen
EP23820304
Anmeldetag
2. Juni 2023
Veröffentlichung
14. Dezember 2023
Rechtsraum
WO
IPC
H01L21/3065H01L21/311H01L21/308
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
LAM RESEARCH CORPORATION
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen