Passivation and high temperature oxidation of iridium oxide schottky contacts for iii-nitride devices

WO2023239942 Art A1 14. Dezember 2023

Anmelder: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIO 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023239942
Aktenzeichen: EP23820500
Anmeldetag: 9. Juni 2023
Veröffentlichung: 14. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/04H01L29/24H01L29/66H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIO
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 The Board of Trustees of the Leland Stanford Junior University

Rechtsträger der US-amerikanischen Stanford University in Kalifornien, der als Anmelder der zahlreichen Patente aus der Universitätsforschung fungiert. Schwerpunkte liegen unter anderem in Biotechnologie, Informatik und Materialwissenschaften.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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