Substrate treatment device and substrate treatment method

WO2023243409 Art A1 21. Dezember 2023

Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023243409
Aktenzeichen: EP23823703
Anmeldetag: 31. Mai 2023
Veröffentlichung: 21. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3063C25F3/02C25F3/04C25F3/06C25F3/08H01L21/304H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: TOKYO ELECTRON LIMITED
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.250 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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