Method for selectively depositing silicon oxide layer using aminosilane precursor

WO2023244040 Art A1 21. Dezember 2023

Anmelder: SK SPECIALTY CO., LTD., INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023244040
Aktenzeichen: EP23824253
Anmeldetag: 15. Juni 2023
Veröffentlichung: 21. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02C23C16/04C23C16/455C23C16/40C23C16/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SK SPECIALTY CO., LTD.
INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Industry-University Cooperation Foundation Hanyang

Die Industry-University Cooperation Foundation Hanyang ist die Forschungstransferstelle der Hanyang University in Südkorea. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Medizintechnik, ergänzt um Mess- und Prüftechnik und Software. Anmeldungen laufen von 2011 bis in die Gegenwart.

345 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von