Method of forming carbon-based spacer for euv photoresist patterns

WO2023244560 Art A1 21. Dezember 2023

Anmelder: APPLIED MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023244560
Aktenzeichen: EP23824484
Anmeldetag: 13. Juni 2023
Veröffentlichung: 21. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/027H01L21/033

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: APPLIED MATERIALS, INC.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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