Tin precursors for deposition of euv dry resist

WO2023245047 Art A1 21. Dezember 2023

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023245047
Aktenzeichen: EP23824777
Anmeldetag: 14. Juni 2023
Veröffentlichung: 21. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/004G03F1/22C07F7/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM RESEARCH CORPORATION
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik Organische Chemie

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