Nitihf high-temperature shape memory alloy with two-way memory effect, and 4d printing method therefor and use thereof

WO2023245879 Art A1 28. Dezember 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023245879
Aktenzeichen: EP22947619
Anmeldetag: 8. September 2022
Veröffentlichung: 28. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: C22C1/04C22C30/00B22F10/28B22F9/14B22F9/08B33Y10/00B33Y70/00B33Y80/00B33Y40/10B22F10/366

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

Vertreten von