Manufacturing method for a power semiconductor device and power semiconductor device

WO2023247545 Art A1 28. Dezember 2023

Anmelder: HITACHI ENERGY LTD 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023247545
Aktenzeichen: EP23734567
Anmeldetag: 20. Juni 2023
Veröffentlichung: 28. Dezember 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L29/775H01L29/78H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: HITACHI ENERGY LTD
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 Hitachi Energy

Unternehmen mit Sitz in der Schweiz, hervorgegangen aus dem japanischen Hitachi-Konzern und der früheren Energiesparte von ABB. Entwickelt Technik für Stromübertragung, -verteilung und Netzautomatisierung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von