Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

WO2023272578 Art A1 5. Januar 2023

Anmelder: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023272578
Aktenzeichen: EP21947532
Anmeldetag: 30. Juni 2021
Veröffentlichung: 5. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L25/065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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