Semiconductor structure, method for forming same, and memory
WO2023272787
Art A1
5. Januar 2023
Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023272787
- Aktenzeichen
- EP21947730
- Anmeldetag
- 15. Juli 2021
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/423H01L29/78H01L29/94H01L21/336H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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