Semiconductor test structure and preparation method therefor

WO2023273016 Art A1 5. Januar 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023273016
Aktenzeichen: EP21947943
Anmeldetag: 18. Oktober 2021
Veröffentlichung: 5. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L23/544G01R27/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von

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