Multi-component relaxor ferroelectric thin film material having superlattice structure and ultra high energy storage efficiency, and preparation method therefor
WO2023273213
Art A1
5. Januar 2023
Anmelder: Shenzhen Institutes of Advanced Technology Chinese Academy of Sciences 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2023273213
- Aktenzeichen
- EP21948138
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2021
- Veröffentlichung
- 5. Januar 2023
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01G4/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shenzhen Institutes of Advanced Technology Chinese Academy of Sciences
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Shenzhen Institutes of Advanced Technology
Chinesisches Forschungsinstitut in Shenzhen unter der Chinesischen Akademie der Wissenschaften mit Schwerpunkten in Robotik, Biomedizintechnik und neuen Materialien.
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