Low-dynamic-resistance enhanced gan device

WO2023273900 Art A1 5. Januar 2023

Anmelder: PEKING UNIVERSITY 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023273900
Aktenzeichen: EP22831719
Anmeldetag: 16. Juni 2022
Veröffentlichung: 5. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: PEKING UNIVERSITY
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

Peking University ist eine chinesische Eliteuniversität in Peking mit breiter Forschung und Patenten in zahlreichen Technologiefeldern, unter anderem Biotechnologie und Materialwissenschaften.

900 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von