Method for manufacturing gallium nitride single crystal substrate and method for manufacturing nitride single crystal substrate of group 13 element of periodic table

WO2023276036 Art A1 5. Januar 2023

Anmelder: KYOCERA CORPORATION 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023276036
Aktenzeichen: EP21948343
Anmeldetag: 30. Juni 2021
Veröffentlichung: 5. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/304C30B29/38

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: KYOCERA CORPORATION
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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