Finfet device modeling simulation optimization method and system based on self-heating effect

WO2023279372 Art A1 12. Januar 2023

Anmelder: South China University of Technology 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023279372
Aktenzeichen: EP21948866
Anmeldetag: 9. Juli 2021
Veröffentlichung: 12. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G06F30/20G06F119/08G06F119/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: South China University of Technology
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 South China University of Technology

Chinesische Universität mit Sitz in Guangzhou, die als Anmelderin von Patenten aus ihrer technischen und naturwissenschaftlichen Forschung auftritt. Schwerpunkte liegen unter anderem in Materialwissenschaft und Maschinenbau.

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Fachgebiete

Software & Datenverarbeitung

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