Compilation method, compiling circuit, mode register, and memory

WO2023279479 Art A1 12. Januar 2023

Anmelder: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2023279479
Aktenzeichen: EP21948968
Anmeldetag: 16. August 2021
Veröffentlichung: 12. Januar 2023
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/02G11C29/50H10B12/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

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